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第三代半导体碳化硅衬底产业园基地建设项目（一期） (北京天科合达半导体股份有限公司)
大型项目

项目地区	中国内地北京大兴区大兴新城东南片区丰远街宝旺印务北边
总投资额（百万）	700
占地面积（m2）	33687
建筑面积（m2）	50000
完工时间	2022年

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北京金诺珩科技发展有限公司	Vertiv（维谛）	低压配电箱、柜	北京天科合达半导体股份有限公司生产车间不...

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